A Alliance Memory expandiu a sua oferta de produtos com uma nova linha de SDRAMs CMOS DDR4 de alta velocidade. Para melhorar o desempenho em relação aos dispositivos DDR3 da geração anterior, os dispositivos 4Gb AS4C256M16D4 e AS4C512M8D4 oferecem menor consumo de energia e taxas de transferência de dados mais rápidas em pacotes FBGA de 96-ball e 78-ball, respectivamente. 

Esses dispositivos são indicados para os mercados de eletrônicos portáteis, computadores de mesa e servidores para aplicativos industriais, médicos, IoT, automotivo, de jogos e de consumo.

Principais especificações e benefícios:

• Baixo consumo de energia de + 1,2V (± 0,06V)
• Oferecido em pacotes FBGA de 96-ball e 78-ball
• Configurado internamente como 8 bancos x 256Mb x 16 bits e 16 bancos x 512Mb x 8 bits
• Velocidades de clock rápidas de 1200 MHz e 1333 MHz
• Taxas de transferência extremamente altas de 2400 Mbps/pin e 2666 Mbps/pin
• Disponível em faixas de temperatura comercial (0 °C a + 95 °C) e industrial (-40 °C a + 95 °C)
• Suporta tipos de intermitências sequenciais e intercaladas com comprimentos de intermitência de leitura ou gravação de BL8 / BC4 / BC4 ou 8 em tempo real
• A função de pre-charge automática fornece uma pré-carga de linha auto-temporizada iniciada no final da sequência de intermitência
• As funções de atualização fáceis de usar incluem atualização automática (auto- or self-refresh)
• Em conformidade com JEDEC e RoHS
• Sem chumbo (Pb) e halogênio

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